 | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4GHz 28V 90W Gain 12.5dB GaN HEMT | |
 | Дискретные полупроводниковые модули 1200V 120A SiC Half Bridge Module | |
 | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 1.2-1.4GHz 250W GaN Gain 18.2dB | |
 | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 7.9-9.6GHz 50W 50ohm Gain 15.6dB GaN HEMT | |
 | ЦП - центральные процессоры Xeon E5-2608Lv3 6 CR 2.0GHz FCLGA-2011 | 1: 91129.68 руб. 2: 87943.6 руб. 5: 86136.98 руб. Все цены |
 | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 1.2-1.4GHz 500W GaN Gain 17.1dB | |
 | ЦП - центральные процессоры Xeon E5-2620v3 6 CR 2.4GHz FCLGA-2011 | 1: 104840.18 руб. 2: 101175.17 руб. 5: 99095.8 руб. Все цены |
 | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6GHz 30W GaN Gain@ 4GHz 15dB | |
 | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6GHz 120W GaN Gain@ 4GHz 13dB | |
 | Диодные матрицы TVS 1CH 12V 200W BI | 1: 65.09 руб. 10: 43.27 руб. 100: 24.04 руб. 1000: 17.47 руб. 2500: 15.07 руб. 10000: 14.05 руб. 20000: 13.04 руб. 50000: 12.57 руб. 100000: 12.02 руб. Все цены |