Каталог электронных компонентов
| Изображение | Наименование / Производитель / Описание / Документация | Кол-во: Цена |
|---|---|---|
 | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4GHz 28V 90W Gain 12.5dB GaN HEMT | 1: 59114.47 руб. -+ |
 | Дискретные полупроводниковые модули 1200V 120A SiC Half Bridge Module | 1: 60350.62 руб. -+ |
 | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 1.2-1.4GHz 250W GaN Gain 18.2dB | 1: 61279.82 руб. -+ |
 | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 7.9-9.6GHz 50W 50ohm Gain 15.6dB GaN HEMT | Цена по запросу -+ |
 | ЦП - центральные процессоры Xeon E5-2608Lv3 6 CR 2.0GHz FCLGA-2011 | -+ |
 | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 1.2-1.4GHz 500W GaN Gain 17.1dB | 1: 102130.25 руб. -+ |
| ЦП - центральные процессоры Xeon E5-2620v3 6 CR 2.4GHz FCLGA-2011 | -+ |
 | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6GHz 30W GaN Gain@ 4GHz 15dB | 10: 13896.34 руб. -+ |
 | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6GHz 120W GaN Gain@ 4GHz 13dB | Цена по запросу -+ |
 | Диодные матрицы TVS 1CH 12V 200W BI | -+ |
